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ICP-500全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-501全自动反应离子刻蚀机
面议IBE-200Z离子束刻蚀机
面议ICP-5000全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-3反应离子刻蚀机
面议MSP-620全自动磁控溅射台
面议全自动型反应离子刻蚀机RIE-802
面议全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD-801)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000
面议标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
面议RIE-24000反应离子刻蚀机(带Load_Lock装置)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)
面议产品主要性能指标
型号 | ICV-500 |
真空系统 | 分子泵机组 |
淀积室规格 | ø400×150mm |
淀积室样片台尺寸 | ø290mm(热均匀区ø220mm) |
淀积材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等。 |
淀积速率 | 200 - 300 Å/min (与淀积材料和工艺有关) |
淀积样片台加热温度 | 300℃ |
淀积不均匀性 | ≤ ±5% |
刻蚀室规格 | ø300×280mm |
刻蚀电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | 0.1 – 1 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关) |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |