IBE-200Z离子束刻蚀机-北京金盛微纳科技有限公司手机版

详细介绍

本产品是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是目前所有刻蚀方法中分辨率，陡真性方法，它可以对所有材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

详细描述

本产品采用口径φ200mm考夫曼型离子源，通过结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术保证在φ150mm范围内束流的均匀性为±5%，电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。

本设备的刻蚀工作台可绕工作中心自转，离子束入射角可在0～90°之间任意调整。

本设备具有刻蚀速率稳定、均匀性好、重复性好等特点，可广泛应用于微电子、光电子、通讯等领域的器件研发和制造。

自动控制系统采用工控计算机及PLC控制、触摸显示屏操作，实现真空系统及工艺过程自动化。本机可选择全自动及非全自动模式。

产品主要性能指标