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面议详细描述
本设备采用PLC控制，触摸显示屏操作。其数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
本设备通过对真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量及工艺过程的自动控制，以及所具有的安全互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等功能。从而获得较高的刻蚀速率，并能精确地控制图形的剖面。使设备的安全性、重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | RIE-802 |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 双室 |
刻蚀室规格 | Ø400×100mm |
电极尺寸 | ø270mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蚀速率 | 0.1 – 1 μ/min （与刻蚀材料和工艺有关） |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |
