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ICP-500全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-501全自动反应离子刻蚀机
面议IBE-200Z离子束刻蚀机
面议ICP-5000全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-3反应离子刻蚀机
面议MSP-620全自动磁控溅射台
面议全自动型反应离子刻蚀机RIE-802
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000
面议标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
面议RIE-24000反应离子刻蚀机(带Load_Lock装置)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)
面议标准型离子束刻蚀机(IBE)
面议详细描述
本设备通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。
本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造,以及能源材料、机械材料,各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性。
产品主要性能指标
型号 | PECVD-801 |
淀积室数量 | 单室 |
淀积室规格 | ø400×150mm |
样片台尺寸 | ø290mm(热均匀区ø220mm) |
加热温度 | ≤ 300℃ |
淀积材料 | SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、类金刚石等 |
淀积速率 | 200 - 300 Å/min (与淀积材料和工艺有关) |
淀积不均匀性 | ≤ ±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动化控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |