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RIE-501全自动反应离子刻蚀机
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面议ICP-5000全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-3反应离子刻蚀机
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面议标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
面议RIE-24000反应离子刻蚀机(带Load_Lock装置)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)
面议标准型离子束刻蚀机(IBE)
面议详细描述
本产品具有三种功能:等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同,既有纯化学的,也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条(纳米)加工,又可以进行体加工。
本设备具有选择比好,刻蚀速度快、重复性好等特点,它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本产品通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺的重复性、稳定性、可靠性得到有效保证,并能精确地控制图形的剖面,从而获得好的刻蚀效果。
本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | ICP-500 |
真空系统 | 分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 单室 |
刻蚀室规格 | ø300×280mm |
电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等 |
刻蚀速率 | ~4 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关) |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |