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ICP-500全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-501全自动反应离子刻蚀机
面议IBE-200Z离子束刻蚀机
面议RIE-3反应离子刻蚀机
面议MSP-620全自动磁控溅射台
面议全自动型反应离子刻蚀机RIE-802
面议全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD-801)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000
面议标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
面议RIE-24000反应离子刻蚀机(带Load_Lock装置)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)
面议标准型离子束刻蚀机(IBE)
面议详细描述
本产品具有三种功能:等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同,既有纯化学的,也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条(纳米)加工,又可以进行体加工。
本设备具有选择比好,刻蚀速度快、重复性好等特点,它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本产品通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺的重复性、稳定性、可靠性得到有效保证,并能精确地控制图形的剖面,从而获得好的刻蚀效果。
本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
本设备所增加的进样室和机械手自动取送片装置使设备的自动化程度更高,并能使刻蚀室的真空与工作环境得以改善,体刻蚀效果更佳。
本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | ICP-5000 |
真空系统 | 进样室:机械泵系统;刻蚀室:分子泵机组 |
刻蚀室数量 | 单室 |
刻蚀室规格 | ø300×280mm |
电极尺寸 | ø200mm |
刻蚀材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等 |
刻蚀速率 | ~4 μ/min (与刻蚀材料和工艺有关) |
刻蚀不均匀性 | ≤±5% |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |