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ICP-500全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-501全自动反应离子刻蚀机
面议IBE-200Z离子束刻蚀机
面议ICP-5000全自动感应耦合等离子体刻蚀机
面议RIE-3反应离子刻蚀机
面议全自动型反应离子刻蚀机RIE-802
面议全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD-801)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机ICP-8000
面议标准型等离子体化学气相淀积台(PECVD-1D)
面议RIE-24000反应离子刻蚀机(带Load_Lock装置)
面议(带Load_Lock装置)全自动型感应耦合等离子体刻蚀机(ICP)
面议标准型离子束刻蚀机(IBE)
面议详细描述
本产品可在硅片、塑料、陶瓷、玻璃、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物及金属等材料表面镀制AI、Au、Cr、Ti、Ni、Cu、W、SiO2、各种金属、非金属,单层、多层膜。它具有均匀性好、溅射速率高、基片升温低、靶材节省等特点。
本产品通过对真空系统、工作压强、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺的重复性、稳定性、可靠性得到有效保证。
本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械等领域的器件研发和制造。
产品主要性能指标
型号 | MSP-620 |
真空系统 | 分子泵机组 |
溅射靶规格 | ø80mm、ø100mm、ø150mm可选 |
溅射数量 | 1-3可选 |
样品台 | 可旋转、可定位、转速连续可调 |
溅射不均匀性 | ≤ ±5% |
溅射方式 | 定靶溅射,旋转溅射。 |
自动化程度 | 真空系统、下游压力闭环控制、射频电源、气体流量、工艺过程全自动化控制。 |
人机界面 | Windows环境、触摸屏操作 |
操作方式 | 全自动方式、非全自动方式 |
自动化装置的选配 | 可选择进口件或国产件 |