半导体美国膜厚仪产品特点：
可检测元素范围：AL13 – U92.可同时测定5层/15种元素/共存元素校正.结合了大功率X射线管和高分辨率探测器，能够满足多镀层、复杂样品和微小测试面积的检测需求。
电制冷固态探测器确保的信/躁比，从而降低检测下限。
探测器分辨率*，能更容易地识别、量化和区分相邻的元素。
有害元素检测结果可精确到ppm级，确保产品满足环保要求，帮助企业降低高昂的产品召回成本和法令执行成本。
您可以针对您的应用选择zui合适的分析模型：经验系数法、基本参数法或两者结合。这款仪器能对电子产品上的关键组装区域进行快速筛选性检测。
一旦识别出问题区域，即可对特定小点进行定量分析。
大型样品舱能够灵活地检测大件或形状不规则的样品，大舱门使样品更易放入。

半导体美国膜厚仪
是利用X射线荧光（XRF）进行镀层厚度测量和材料分析，提高过程和质量控制。
采用新改进的基本参数法，无论是无标准片测量还是有标准片测量，都能快速并且准确的获得测量结果。为了简化样品放置，X射线源和数字半导体接收器置于了 BA100 的底部，从而可以采用射线向上的测量技术。
可以胜任测量传统的镀层厚度测量仪器由于X-射线荧光强度不够而无法测量到的结构。