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产品用途与特点：
1、本产品利用低能量平行 Ar﹢离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率，陡直性特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。
2、设备采用圆形离子源，自转且角度可调水冷工作台。
3、主要应用于微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、新能源等领域的器件研发和制造。
4、产品适合于科研院所、大专院校、中小型生产企业的科研及教学。
产品主要技术指标：
1、真空系统：分子泵机组。
2、离子源形状：圆形，平栅、聚焦栅。
3、离子源类型：直流离子源、射频离子源。
4、中和方式：灯丝、等离子体桥。
5、离子源口径：5cm、8cm、11cm、12cm、15cm、16cm 。
6、样品有效刻蚀尺寸：Ф1 英寸～Ф4 英寸。
7、样品台转速：5—30rpm 。
8、刻蚀角度调节：0～90 度。
9、工作台冷却温度：10℃ 。
10、刻蚀不均匀性：±2%～±5% 。
11、刻蚀速率：10nm～200nm/min。
12、关键部件：可选配进口、国产。
13、操作方式：可选择手动、全自动控制模式。
