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设备配置 | 2C2D、4C、4D |
设备产能 | 120WPH |
衬底材质 | Si、Glass等 |
线宽 | ≥90nm |
适用工艺 | i一line、KrF、ArF、PI、SOG、SOC |
应用领域 | IC、*封装、MEMS、功率器件、射频集成、科研等 |
技术特征 | ◼设备占地面积小,产能高,工艺单元灵活选配; ◼热板采用渐进式烘烤,冷盘渐进式冷却; ◼能适应5mm以下翘曲晶圆或超薄晶圆传送和加工工艺; ◼标配电动泵,标配匀胶显影管路温控功能; ◼可实现两种尺寸兼容; ◼可选配高精度热板、光学对中、WEE等单元部件; ◼可选配interface模块,实现Inline功能。 |
设备尺寸 | 1680*1550*2500mm(W*D*H) |