美国ABM光刻机

ABM光刻机公司成立于1986年，总部位于美国硅谷San Jose。主要经营光罩对准曝光机(光刻机)，单独曝光系统，光强仪/探针。公司的主要市场在美国和亚洲。

截止到2010年3月，ABM公司在世界范围售出了800多台光刻机，50多台单独曝光系统。在美国拥有众多客户，最的客户是美国NASA和INTEL，ABM光刻机在中国台湾一，超过半数的大学、研究所和部分工厂使用ABM的光刻机。

 ABM光刻机在中国销售超过150台，拥有众多的不同类型的客户，包括：国家重点实验室、各领域研究所、大学和为数众多的工厂，设备用于生产和研发，ABM光刻机愿以其*的性能和有竞争力的价格为中国半导体市场提供了优良的产品和良好的服务。

美国ABM正面对准光刻机

型号：ABM/6/350/NUV/DCCD/M
光学系统：

   曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
   365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
   声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
   有安全保护装置的温度及其气流传感器；
   全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度；
   波长滤片检查及安装装置
   抗衍射反射功能高效反光镜；
   二向色的防热透镜装置；
   防汞灯泄漏装置；
   配备蝇眼棱镜装置
   配备近紫外光源，
    --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
    --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
    --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
    --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置：

   6“，8”光源系统  
   可支持2“，3”，4“，6”，8“（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）
   手动系统，半自动系统, 
   支持电源350-2000 Watt 
   支持深紫外近紫外波长（可选项）
   CCD或显微镜对准系统 
 


主要性能指标：

   光强均匀性Beam Uniformity:：
    --<±1% over 2” 区域 
    --<±2% over 4” 区域 
    --<±3% over 6” 区域
   接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
   接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：  0.5  um
   支持接近式曝光，特征尺寸CD：
    --0.8um  硬接触
    --1um    20 um 间距时
    --2um    50um 间距时
   正面对准精度±0.5um
   支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um
   支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
   支持真空、接近式、接触式曝光
   支持恒定光强或恒定功率模式