晶圆激光切割机/SA-IR20WD（底相机对准）型，相比传统机型，主要增加：底部相机、增加底部成像镜头、增加底部成像光源，可实现晶圆片底部对准，保留原有上相机更能，可实现正切和背切功能。

技术规格                            项目                                         单位                                      数值

对准方式                                                         底部对准，兼容顶部对准

加工尺寸                    承片台                                      inch                                      4英寸

切割深度                    单晶硅                                       um                                       ≤150微米

                                        激光器功率                                 w                                         20瓦

                                        激光器波长                                 nm                                     1064nm红外

激光器                              重复频率                                    KHZ                                     20千-60微米

                                        切割速度                                    mm/s                                   150毫米每秒

切割参数                          切割线宽                                     um                                       40-60微米

工作台承载方式                大理石                                        mm                                      厚度100毫米

                                        耗电量                                  Kw                                       2.0千瓦

                                        压缩空气供给压力                        MPa                                    0.5-0.8兆帕

                                        排风量（工厂自备）                   m³/min                                 3立方每分钟

                                        设备尺寸（W*D*H）                   mm                                      980*1270*1740毫米

其他规格                          设备重量                                       KG                                       660千克

                                        排风口口径                                   mm                                     50毫米

1）红外激光不能切割玻璃，玻璃会有裂纹；

2）红外激光切割深度为80-90um，超过该深度裂片效果不佳，请在芯片工艺设计时，考虑片厚及沟槽深度，以决定所需要切割的硅总厚度。