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特点:
1.获得的MOS多光束技术(二维激光阵列)
2.采用真空和低压气体保护,可进行温度范围-100~1200°C(多种温度范围可选)的变温测量
3.样品快速热处理和冷处理功能
4.温度闭环控制保证的温度均匀性和精度
5.实时的应力、曲率VS温度曲线
6.程序化控制扫描模式:选定区域、多点线性扫描、全面积扫描
7.成像功能:样品表面2D曲率成像,定量薄膜应力成像分析
8.测量功能:曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等
9.气体(氮气、氩气和氧气等)Delivery系统
10.可采用泵入液氮冷却,较大冷却速率100°C/min
应用:
TST用于科研或者生产企业中薄膜原位应力监测和控制。
TST应用于金属薄膜,介电薄膜、滤光片膜、平板玻璃、300mm半导体集成电路板、薄膜电池、MBE和MOCVD薄膜制备和退火过程的热应力监控等领域。
技术参数:
型号 | TST-1200 |
温度范围 | -100~1200°C(多种温度范围可选) |
温度速率 | 加热 >10°C/秒 冷却 600°C,较高50°C/分钟;400°C到室温,较高5°C/分钟(可扩展更快的升温和降温速率) |
温度均匀性 | ± 2 °C |
温度稳定性 | ± 1 % |
平均倾斜重复性 | < 1μrad |
平均曲率重复性 | < 2×10-5 1/m |
应力测量范围 | 几十KPa ~ 几十GPa |
空间扫描分辨率(用户可调) | 高达1μm |
曲率分辨率 | 室温100Km,高温20Km |
实时热应力测量分析 | 30点/秒 |
真空腔室真空度 | 10 mTorr |
测量基片尺寸 | 标配200mm(100mm和300mm可选) |