日本DNK科研曝光机MX-1201E光刻机-塔玛萨崎电子（苏州）有限公司手机版

产品简介

简单介绍：主要特长能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。能够对应半导体、电子零件、优异PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以*大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。

详细介绍

详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″

光源超高压水银灯：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高压水银灯：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

型式		MX-1201			MX-1201E		MX-1205
*小线幅 (※1)	[μm]	5			3		2	1
数据分辨率	[μm]	0.488			0.25		0.1	0.05
*大基板尺寸	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
有效曝光范围	[mm]	200 x 200			200 x 200		100 x 100
激光主波长	[nm]	405	375	405 + 375	405	375	375
曝光扫描速度	[mm/s]	43.94			22.5		9	4.5
节拍时间	[s,min]	180 [s]			320 [s]		16 [min]	27 [min]
*大曝光量	[mJ/c㎡]	245	70	245 + 70	460	135	50	100