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光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括:光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下,溶解度会发生变化的薄膜材料。
AZ 4562
正性厚光刻胶,具有粘附力,在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有粘附力,广泛应用于半导体行业。
AZ 5214
这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术(lift-of工艺)。由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物(PAC)组成的正性光致抗蚀剂,它们也可反转成负胶,从而产生的掩模。
SU-8 2000系列
环氧型树脂的负性光刻胶,SU-8 2000化学放大,i线抗蚀剂非常适合制造性器件结构。这些负色调,环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低的杨氏模量,使其成为制造微/纳米结构的理想选择,如悬臂,膜和微通道。
SU-8 3000系列
已被配制用于改进的粘合性和降低的涂层应力。它被用于需要高结合强度和改进的微结构制造柔性的地方,用于微流控/MEMS微纳工艺,大大提高了与基板的粘合性。
mr-NIL210
有机可光固化的NIL抗蚀剂,具有出色的干法刻蚀特性。它具有出色的固化和纳米压印性能,特别适用于使用软印模材料(例如PDMS)的软NIL。
mr-I T85
热塑性NIL抵抗剂,基于非极性环烯烃共聚物(TOPAS)的T-NIL抗蚀剂(Tg = 85°C)。
SU8胶配套显影液、去胶液、去边胶
SU-8 Dev、Remover PG去胶、EBR-PG 去边胶、ZX-238型正胶显影液
AZ胶配套显影液
AZ300MIF-薄AZ系列光刻胶的显影液
AZ400K-厚AZ系列光刻胶的显影液
电子束胶
PMMA/MMA950k 495k 50-5000nm 分辨率<10nm 粘附性好,适用于电子束光刻,多层T-Gate剥离、晶圆减薄;
ma-N 2400 0.1um-1um 分辨率50 nm 电子束和深紫外灵敏;抗干刻、湿刻性能;胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;
紫外光刻负胶-lift-off工艺
ROL-7133 2.2-4um 分辨率4um 制作金属电极或导线,倒角75-80度,粘附性好,可使用普通正胶显影液;
SUN-1300 7-18um 分辨率4um 对比度高、分辨率高、附着性佳、易于去除;