FD1600R17HP4_B2,FD1600R17HP4_B2图片。 PDF中文资料，datasheet详细参数，中文参数，操作方案，进口*现货价格，产品库存状况。

（作者：深圳市安科半导体科技有限公司）--有售  O755+33I7 62O5,Q+1335871191

二极管模块

产品型号 参数说明 封装形式

DD200S33K2C 200A , 3300V IHV 73 mm

DD400S33K2C 400A , 3300V IHV 130 mm

DD400S33KL2C 400A , 3300V IHV 73 mm

DD500S33HE3 500A , 3300V IHVB 130 mm

DD800S33K2C 800A , 3300V IHV 130 mm

DD1000S33HE3 1000A , 3300V IHVB 130 mm

DD1200S33KL2C_B5 1200A , 3300V IHV 130 mm

DD1200S33K2C 1200A , 3300V IHV 130 mm

600V系列IGBT模块，1200V系列IGBT模块，1600V系列IGBT模块，1700V系列IGBT模块，3300V系列IGBT模块 ，6500V系列IGBT模块：

DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1V；

DN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4V；

KS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85V；

KE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0V；

KT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V；

infineon IGBT单管,EUPEC IGBT单管, 英飞陵IGBT单管, EUPEC IGBT单管,电磁炉用IGBT,IKP IGBT,IHW系列：

高频600V硬开关频率fK≤150KHZ；

快速1200V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降600V硬开关频率fK≤50KHZ；

低饱和压降1200V硬开关频率fK≤20KHZ；

，可控硅。