基于SUSS MicroTec的光刻机经典设计，MA100/150e Gen2提供了的工艺延展性，使客户能够将新的芯片设计快速投入市场，其光刻作业产量高达每小时145片。

MA100/150e Gen2针对上至4英寸的小尺寸晶圆片进行了特别优化设计。系统可以稳定地达到优于0.7µm的对准精度（直接对准）。选配的底部对准功能（BSA），对准精确度优于±1.5 µm。MA100/150e的对准单元针对LED制造工艺要求进行了特别调校，透明和表面粗糙的晶圆片都能获得的对比度。

在光刻工艺中，只需对准器件晶圆同侧的结构（例如再布线层、微凸点 等），用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。 根据衬底的特性，这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 掩模对准器的对准精度
• 清晰、强大的图像识别功能，即使在对比度不理想的情况下

应用微电子机械系统（MEMS）、圆晶级封装和三维集成的工艺，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要与正面结构对准的晶圆背面结构。 此时常使用光学背面对准。 集成摄像机系统采集掩模结构和晶片背面结构并将它们相互对准。 由于晶圆在装载掩模靶后被覆盖，必须预先确定并存储其位置。 这对整个对准系统提出了特殊的要求。

我们的客户可以从中得到以下好处

• SUSS 掩模对准器凭借其的机械精度和稳定性带来的准确性

提高对准精度

当对套刻精度有较高要求时，大大提升标准系统的自动对准功能。DirectAlign®，SÜSS MicroTecs 图像识别软件附加功能，放弃图片存储系统中的结构图文件，取而代之的是访问实况图。结构识别基于工业标准 PatMax 且取得了优异成绩。因此，在 SUSS 掩模对准器上用 Direct Align® 进行顶面对准时对准精度可达到 0.5 微米。
对易混淆结构或视野受限的苛刻对准过程建议使用强化对准。

多层晶圆堆叠被应用在许多构造工艺中。 用红外照射可以识别并对准通常埋在层之间的对准标记。

红外光还可以根据这些埋入的标记进行对准。 这需要使用能透过红外线的材料，例如硅、III-V族半导体（如砷化镓）以及临时键合和键合分离工艺中所使用的粘着剂 通过个例研究检查可行性。

为了尽可能扩大红外对准的使用范围，SUSS 掩模对准器可以选配强大的红外光源和高性能摄像系统。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 强大的红外光源和高性能摄像系统

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐，然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小（因此又叫“接近式光刻”）。 在曝光过程中，掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量，一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快，应用灵活，从而成为微结构生产成本效益的方法，它能生产出最小3微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统（MEMS）、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模对准器以阴影工艺为基础。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 因为镜头系统衍射减少，从而得到更突出的分辨率。
• 使用了微镜片镜头系统，所以工艺稳定