B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪

B1505AB1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪

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2023-08-23 13:10:12
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简要描述:Keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是*能够对 sub-pA 电平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件进行表征的综合解决方案。

详细介绍

描述

Keysight B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪是*能够对 sub-pA 电平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件进行表征的综合解决方案。这些功能能够对较新的器件(例如 IGBT)和材料(例如 GaN 和 SiC)进行测量。B1505A 支持各种模块:高电压 SMU(HVSMU)、强电流 SMU(HCSMU)、电流(UHC)模块、超高电压(UHV)模块和高电压中等电流(HVMC)模块。B1505A 还支持:高功率 SMU(1 A/200 V)、中等功率 SMU(100 mA/100 V)、中等电流 SMU(1 A/30V 脉冲,100 mA/30V 直流)和多频电容测量单元(1 kHz – 5 MHz)。B1505A 的 10 插槽模块化主机支持您对其进行配置,以满足您的测量需求。

它还可以在高电压偏置(高达 3000 V)时执行全自动电容测量,例如 Ciss、Coss 和 Crss,也可以轻松地测试高频开关转换器的另一个重要参数——栅极电荷。还支持在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行自动热表征。

B1505A 软件环境以 Microsoft® Windows® 7 操作系统为基础,包括曲线追踪仪,支持用户检测器件特征和探测器件故障。如同使用曲线追踪仪一样,B1505A 提供旋钮控制可变扫描功能,可对参数(例如击穿电压)进行实时测量。B1505A 还提供“示波器查看功能”,可直观地帮助操作人员优化应用于器件的电压和电流。测量设置信息和数据可自动存储到 B1505A 的内置硬盘,并复制到 USB 闪存和其他便携存储器件。将器件测量结果汇总之后,测量数据可轻松复制到工程报告中。

强大的测试夹具解决方案对于确保操作人员安全(由于生成的高电压和强电流)和支持各种功率器件封装类型极为重要。以前的传统曲线追踪仪受功率器件大小的限制,无法对某些功率器件进行测试,而且有时为了测试某一器件必须临时装配适配器。然而不论器件的大小或形状如何,B1505A 的测试夹具可连接各种器件,例如功率 MOSFET、二极管和 IGBT 等。这可以通过大型测试夹具适配器和定制的测试夹具模块来实现。此外,测试夹具的内置互锁机制可确保在测试器件过程中安全地应用高电压和强电流。

是德可提供一个转换套件,使现有的 B1500A 用户将其 B1500A 主机转换为 B1505A 主机。这使当前的 B1500A 用户能够以较低的成本扩展现有仪器的电压和电流测量功能。模块选型指南

测量资源 所需模块/扩展器 所需插槽数 较大配置 主要技术指标
高功率 SMU(HPSMU) B1510A HPSMU 2 4 高达 200 V、1 A,10 fA 电流分辨率
中等功率 SMU(MPSMU) B1511B MPSMU 1 10 高达 100 V、100 mA,10 fA 电流分辨率
强电流 SMU(HCSMU) B1512A HCSMU 2 2 20 A/20 V(脉冲);1 A/40 V(直流)*1
高电压 SMU(HVSMU) B1513C HVSMU 2 5 1500 V/8 mA;3000 V/4 mA(脉冲和直流)
中等电流 SMU(MCSMU) B1514A MCSMU 1 6 1 A/30 V(脉冲);100 mA/30 V(直流)
多频电容测量单元(MFCMU) B1520A MFCMU 1 1 1 kHz 至 5 MHz;0 至 ±25 V,使用 MFCMU 内部直流偏置
0 至 ±3000 V,使用 HVSMU 和高电压偏置 T 型接头
高电压中等电流单元(HVMCU) M1266A HVSMU 电流扩展器、
B1513B HVSMU
和两个 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU
4 - 6 1 ±1500 V / 2.5 A(脉冲),±2200 V/ 1.1 A(脉冲)
电流单元(UHCU) N1265A 电流扩展器/夹具
和两个 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU
2 - 4 1 1500 A/ 60 V(脉冲),22.5 kW 峰值功率、
±500 A / 60 V(脉冲),7.5 kW 峰值功率
超高电压单元(UHVU) N1268A 超高电压扩展器
和两个 B1514A MCSMU
或 B1512A HCSMU
和 B1514A MCSMU 组合
2 - 3 1 10 kV/10 mA(直流),10 kV/ 20 mA(脉冲)

*1. 使用两个 HCSMU 和双 HCSMU 组合适配器,当前的范围可扩展至 40 A/20 V(脉冲)和 2 A/40 V(直流)。

主要特性与技术指标

广泛的工作条件与精密测量功能相结合

  • 适合功率器件表征的综合解决方案,高达 1500 A 和 10 kV
  • 中等电流测量和高电压偏置(例如,500 mA,1200 V)
  • μΩ 导通电阻测量功能
  • 高电压偏置时,可进行精确的 sub-pA 电平电流测量
  • 在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试

广泛的器件测量功能

  • 可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量(Ciss、Coss、Crss 等)
  • 10 μs 高功率脉冲测量
  • 封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量
  • 高电压/强电流快速切换选件,适用于 GaN 电流崩塌效应表征
  • 多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供较大的灵活性
  • 通过互锁测试夹具执行安全的与温度相关的测试

改进的测量效率

  • 在高电压和强电流测量之间自动切换,无需重新布线
  • 自动测试电路形成,可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)测量
  • 具有互锁机制的标准测试夹具,可进行封装功率器件测试
  • 支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试
  • 示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证
  • MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程

可升级和可扩展的硬件体系结构

  • 广泛的测量模块选择
  • 支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件

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