TOF-SIMS TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱公司
产品简介
详细信息
技术参数：
离子束带来高分子量分析和高空间分辨率
四种离子束可选择
用气体团簇离子束SIMS，可以分析高达3000Da的分子量
无“仅蚀刻”循环的深度剖面。
快速、连续采集
冷样品处理
气敏和冷冻样品,可配置手套箱
高级数据查看功能
腔室上最多可包括3种离子束。选择包括金，C60，气体团簇，和等离子体-每一个适合特定的样品类型或实验，如下所示。
离子束 | 能量 | 束斑大小 | |
金 | 25kV | <150nm<> | Z高的空间分辨率，导致明显的碎片。是硬质材料的理想选择。 |
碳60 (C60) | 40kV | <300nm<> | 在任何材料上均匀溅射，碎裂度低，理想值可达1kDa。 |
气体团簇 （Ar/CO2/H2O） | 40kV, 70kV | <1um<> | 有机物的高溅射率，任何束流的低碎片，是生物成像的理想选择。 |
双等离子体发射源 (Ar/O2/N2/Cs) | 30kV | <300nm<> | 高亮度光源，是无机材料的理想选择。氧束提高正离子产率，Cs提高负离子产率。 |
主要特点：
深度剖面
该 SIMS非常适合于样品的深度剖面分析。使用直流离子束进行分析的一个重要方面是，不需要将蚀刻离子束与分析离子束交错。为了能够在合理的时间尺度上生成3D图像，并去除受损的亚表面层，传统的TOF实验使用了交错成像和蚀刻循环，这些循环浪费了宝贵的样品。在使用C60+或（CO2）n/Arn+等连续分析离子束，分析和低损伤刻蚀是连续和并行的，因此没有数据丢失，所有材料都被采样，使我们 SIMS成为一个非常精确的深度剖面分析工具。
温度和大气控制的多功能样品处理
该 SIMS上的多功能样品处理系统可以分析多种样品类型。仪器配备液氮冷却装置，以便对挥发性样品进行分析——冷却装置适用于主样品阶段和样品插入锁。相反，样品台也可以加热到600 K。
仪器配有手套箱，用于在干燥气体下制备和插入空气/水敏感样品，并防止冷却过程中结冰。由于小容量负载锁定和高泵送速度，样品插入很快。
半导体
半导体分析的范围可以从浅结深度剖面到高分辨率3D成像。有五种不同的主离子束可供选择，可以针对不同的材料或实验类型进行定制。
从 40kV C60 光束中进行选择，即使在混合材料上也能提供高分辨率成像和均匀的溅射率，是平面设备的理想选择。或 FLIG 5，超低能耗 O2/Cs 光束，具有高的电流密度，是浅结深度剖析的选择。
特征：IOG C60-40， FLIG 5， 深度剖析， 3D 成像
聚合物
液态金属离子束会导致高水平的碎裂和对表面的损坏，然后必须通过GCIB将其去除。这会降低深度分辨率，并增加实验不必要的复杂性。GCIB是主光束，因此可确保低分段，不需要仅蚀刻循环，并保证高深度分辨率。
GCIB SM 是市场上能量Z高的 GCIB，能够快速和Z小的损坏蚀刻聚合物等软质材料，从而实现比以往更大的 3D 分析量。
特征：GCIB SM， 深度剖析， 3D 成像