半导体晶圆缺陷检测设备
产品简介
详细信息
产品优势
- 01可适用多种尺寸
本设备可适用于4—8英寸有图形晶圆
- 02可检测多种缺陷
检测划伤、背崩、色差、开裂、划偏、金属残留、金属缺失等缺陷
- 03高精度分辨
系统分辨率：0.2-0.8μm
- 04检测速度快
有图形晶圆：缺陷数量在200个以内的情况下，15分钟/片
技术参数
| 项目 | 主要技术参数 | ||
| 常规参数 | Wafer尺寸 | 4" , 6"（带蓝膜铁框 ） | |
| 料盒数量 | 2 pcs | ||
| 上下料方式 | 机械手， Mapping扫描 | ||
| 运动平台 | X行程200mm，重复精度10μm Y行程45mm，重复精度10μm Z行程15mm，重复精度5μm | ||
| 产能 | 4" , 25WPH 6" , 20WPH | ||
| 检测性能 | 检测精度 | 3 μm | |
| 相机 | 高分辨率工业相机 | ||
| 镜头 | 显微镜头 | ||
| 光源 | 光源 | ||
| 缺陷标记 | 自动打点 | ||
| 使用环境 | 供电规格 | AC220V， 50Hz | |
| 气源要求 | 0 .5-0 .7Mpa压缩空气， 无明显水汽和油脂 | ||
| 设备重量 | 温度15-40℃， 湿度要求30%-70%， 无凝霜 | ||
| 整机尺寸 | 2000mm*1200mm*2250mm | ||
样品展示
镀金层脱落
裂纹
覆膜面检测
划伤