半导体衬底缺陷检测设备
产品简介
详细信息
产品优势
- 01适用多种晶圆
适用于4—8英寸原片、衬底、外延片及无图形晶圆
- 02可检测多种缺陷
检测颗粒、凹坑、凸起、划伤、污点、裂纹等缺陷
- 03分辨精度高
系统分辨率：1-10μm
- 04检测速度快
无图形晶圆：缺陷数量在200个以内的情况下，180秒/片
技术参数
| 项目 | 主要技术参数 | |
| 常规参数 | Wafer尺寸 | 标配4" , 6"(可扩展4"-8") |
| 料盒数量 | 双层， 14 pcs | |
| 上下料方式 | 机械手， Mapping扫描 | |
| 运动平台 | Y行程 350mm，重复精度 10μm Z行程 8mm，重复精度 5μm | |
| 产能 | 4" , 140WPH 6" , 120WPH | |
| 检测性能 | 检测精度 | 7 μm |
| 相机 | 高分辨率工业相机 | |
| 镜头 | 高清工业镜头 | |
| 光源 | 光源 | |
| 使用环境 | 供电规格 | AC220V， 50Hz |
| 气源要求 | 0 .5-0 .7Mpa压缩空气， 无明显水汽和油脂 | |
| 设备重量 | 温度15-40℃， 湿度要求30%-70%， 无凝霜 | |
| 整机尺寸 | 1800mm*1300mm*2250mm | |
样品展示
样品1
样品 2
样品3