高精度晶圆检测机
产品简介
详细信息
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适用产品 / Applicable Product
广泛应用于Si基Wafer表面缺陷、针孔检测，透明基板表面颗粒缺陷检测，2D图形检测(表面颗粒、划伤、DIE丢失、破裂、崩边) 2D关键尺寸检测(Pad边界、关键位置尺寸) 3D Bump检测。
技术特点 / Standard Functions
支持Die2Die 检测，同时支持线宽测量及套刻测量三合一
表面缺陷检测能力可达0.3um
自动检测无需人工建立Golden Image
单机支持Bright Field，Dark Field 缺陷检测模式
灵活高效多种方式的缺陷Review和自动缺陷分类
多种算法联合检测，缺陷识别率高
支持单层图形和多层图形检测，及自定义区域检测
业界的高速准确的整版Die检测
高精度线宽量及套刻尺寸测量系统
多种波长检测光源适配530nm，405nm和365nm
自动脚本Recipe编程能力和自动化运行安装条件 / Optional Functions
整机尺寸 1868*1129*1976mm 设备重量 1500KG 峰值功率 2KW 电源 220V 50Hz 压缩空气 0.45Map 真空 -65~100Kpa EFU 0.13μm 内外部压差 >4Pa 静电消除 离子风棒*2 UPS 选配 安全性 机械手EMO、整机EMO、安全门传感器、磁力锁 内部洁净等级 Class10 标准符合性 CE、SEM、S2、S8、S22 技术参数 / Technical Parameters
指标 规格 Wafer尺寸 4″6″8″ / 6″8″12″ 上下片方式 机械手上下片/Mapping扫描/预对准 运动平台 隔震平台 大理石平台+隔震，满足VC-C级别震动要求 Wafer Stage XY行程：300*450 ，重复精度：50nm单轴
速度：900mm/sec
驱动及反馈：直线电机+Ranishaw(Tonic)光栅Chuck 真空吸附 检测精度 BF
最小：300nmDF
最小：100nm产能 4″<60WPH 6″<40WPH ，8″<25WPH ， 12″<15WPH 光学系统 光路系统 双光路线阵+面阵成像系统，线阵用于快速扫描，面阵用于对准及Review 相机 多线：3200*1Pixel：7nm 面阵2/3彩色CCD 镜头 根据具体的样品配置
可提供2X、3.5X、5X、10X、20X、50x、100X等规格光源 LED反射光、激光暗场照明、环形光源