TRT-MT 薄膜变温电阻测试仪
产品简介
详细信息
特点:
1.采用专用高精度电阻测试仪和温度测试仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响，测量材料电阻R随温度T的变化；
2.采用Helmholtz线圈提供均匀的磁场，用它可以产生极微弱的磁场直至数百Gs的磁场。用四端法测量样品电阻随温度的变化，可减小接触电阻对测量的影响，提高测量精度；
3.采用氮气保护，可连续测量样品在150K~600K范围内电阻随温度的变化，可拓展到1800℃；
4.采用流行的USB2.0接口与计算机相连，数据采集迅速准确；
5.用户界面直观友好，方便用户使用。
应用:
1.金属、半导体、导电高分子薄膜（或块材）电阻率和磁阻的测量
2.金属薄膜材料的电阻率，磁阻的测量（较大厚度0.2mm）
3.金属块体材料电阻率的测量（较大厚度3mm）
4.磁性合金薄膜的磁电阻测量
5.铁磁/非铁磁/铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
6.自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型磁电阻薄膜的磁电阻测量
技术参数:
| 型号 | TRT-LT | TRT-MT | TRT-HT |
| 温度范围 | 150K~600K | RT~1200 ℃ | RT~1800 ℃ |
| 磁场 | 0~1.3T（匹配） | ||
| 电阻测量范围 | 1μΩ~3MΩ，准确度：± 0.1％FS | ||
| 温度测量精度 | 热电阻0.1%±0.1℃；热电偶0.5%±0.5℃ | ||
| 恒流源 | 1μA~1A，准确度：± 0.1％FS（FS为满量程值） | ||
| 供电电源 | 220 V AC | ||
| 额定功率 | < 2000W | ||
| 注意事项 | 温度和电阻测量范围等可按需求定制，请咨询技术人员 | ||