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德国WEP公司的CVP21电化学C-V剖面浓度测试仪可高效、准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布。选用合适的电解液与材料接触、腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。
电化学ECV剖面浓度测试仪主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。CVP21电化学C-V剖面浓度测量仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，例如：硅、锗、III-V族化合物半导体(如GaN)。

CVP21的系统特点：

• 坚固可靠的模块化系统结构，光学、电子和化学部分相对独立；
• 精确的测量电路模块；
• 强力的控制软件，系统操作，使用简便;
• 完善的售后服务体系;
• 提供免费样品测试并提供测试报告。
• 保修期：2年，终身维修。
• 对用户承诺样品测试，每月1次。

技术参数：
CVP21电化学CV剖面浓度分析仪结合了WEP在电化学方分布测试方面超过３０年的经验和*的电路系统。全自动，特别适用于新材料，如氮化镓、碳化硅材料等。
可有效检测：外延材料、扩散、离子注入。
载流子浓度测量范围：1011/cm3~1021/cm3 ；
深度分辨率：低至1nm；
模块化系统结构：
 - 拓扑型结构；
 - 实时监控腐蚀过程；
 - 适于微小样品及大尺寸的晶圆；
- 全自动化系统；

主要特点：
CVP21电化学ECV是半导体载流子浓度分布的解决方案：
1.  CVP21应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。
- IV族半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等…
- III-V族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等…
- 三元III-V族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等…
- 四元III-V族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等…
- 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等…
- II-VI族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等…
- 其他不常见半导体材料(可以联系我们进行样品测量)。
2.  CVP21可测试不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)、标准样品尺寸从4*2mm ~ 8英寸晶圆(更小尺寸样品请预先咨询我们)。
3.  CVP21拥有很好的分辨率范围：
* 载流子浓度分辨率范围从< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范围从1nm ~ 100um (依样品类型、样品质量决定)
4.  CVP21是一套完整的电化学ECV测量系统：
* 系统可靠性高(仪器的电子、机械、光学、液体传动几个主要部分均经特殊设计)
* 免校准的系统(自校准的电子系统，电缆电容均无须用户再次校准)
* 易于使用(全用户管理软件优化，在实验室环境或生产环境均易于使用)
* 照相机镜头控制(过程在线由彩色照相机镜头控制；每次测量后，镜头数据均可取出。)
* 实验菜单(测量菜单预定义，优先权用户可以很容易修改或改进测量菜单)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (电化学样品池自动装载/卸载/再装载，优先权用户易于修改，进行样品dry-in/dry-out处理。)