MV-IS CCD、CMOS、image sensor图像传感器测试系统
产品简介
详细信息
针对COMS,CCD等影像传感器开发，适合多种规格的芯片传感器的量子效率测量。
1.可量测单一像素点的量子效率。
2.可量测全数组像素量子效率。
3.可产生各种所需单色光均匀光源，自动化校正各单色光、特定单色光入射光子数。
4.选配：可加配CRA载台，用以测试chief ray angle。
5.选配：软件可配合用户需求修改。
6.为全自动化设计，操作简易。
主要可测量的参数：
1.系统增益System gain(K)
2.量子效率Quantum efficiency
3.饱和照射光子数
4.最小可探测照射光子数
5.动态范围(DR)
6.暗电流
7.线性度和线性误差Linear-Error
8.光电响应不均匀度PRNU
9.暗信号不均匀度 DSNU
系统优势:
QE-IS系统采用光焱科技研发多年的单色光均光系统具备下列多项优势:
- 高均匀度
可产生高均匀度的单色光光斑，在10x10mm2面积内均匀度可以>99%，在20x20mm2面积内仍可维持在>98%。与积分球系统相较，具有更佳的均匀度表现。
*QE-IS均光面的光强分布图。
- 高光强度、高讯噪比
QE-IS高效率均光系统，以550nm单色光为例，在QE-IS系统光均面的光强度可>5 uW/cm2，相较于积分球系统的单色光强仅1x10-8 uW/cm2，两者差距千万倍，QE-IS系统量测具备的讯噪比，可精确测出感光组件的量子效率等相关光学特性。
- 可作单像素QE量测
因QE-IS单色光强度足够(5 uW/cm2@550nm)，打在1 um的像素单元，产生的光电流约在20 pA，相较于积分球系统产生的单一像素光电流在sub-fA以下，QE-IS系统可直接用于量测数组感光组件上，任何单一像素的量子效率。
- 可作全数组像素QE量测
除单一像素量测，QE-IS可整合或是被整合于使用者自行开发的感光组件的数字电路讯号，以量测全数组像素QE。
- 可作CRA量测
QE-IS的均匀单色光发散角度< 5度，相较积分球的发散角度 >90度，搭配选配的旋转平台，即可量测CRA(Chief Ray Angle)特性。无需额外添购系统，方便整体的量测。
QE-IS与传统积分球系统的特性比较表
| 项目 | QE-IS 光学系统 | 传统积分球系统 |
| 光均面均匀度 | > 99 % | > 99% |
| 光均面位置 | 距均光系统出口300 mm | 积分球开口处 |
| 光均面光强度 | > 5 uW/cm2 | 1x10-8 uW/cm2 (1米积分球) |
| 单像素QE量测 | 可(光强足够) | 否(光强度过低) |
| 发散角度 (半角) | < 5度 | > 90度 |
| 可否量测CRA | 可 | 否 |
产品规格
1.适用影像组件尺寸: 1/4"、1/3"、1/2"、2/3"、1"
2.单色光光谱范围: 200~1100 nm (可扩充)
3.均匀光源规格: 10 mm x 10 mm或更大
4.光均匀度> 99 %
5.单色光源角度: < 2.50 (半角)
6.最小波长步进分辨率：0.1 nm
7.波长FWHM 可做0.1~30 nm调整
8.CRA角度精度?1度
*QE 量测结果
*CRA 量测结果